经历2018年NAND Flash和DRAM市场价格大跌，存储产业链企业在2018年Q4财报表现一片惨淡，2019首季再次饱受淡季的影响，使得美光最新财报净利润大跌超过50%，三星也预告首季财报低于预期，更预警2019年是芯片最困难的一年。

从需求端观察，首先2019年首季依然受全球智能型手机市场成长趋缓的影响。中国市场1-2 月智能手机累计出货量 4613.5 万部，同比下降 14.2%，2月份苹果iPhone在中国市场需求更是同比下滑近70%。

其次，来自英特尔处理器缺货的影响。自英特尔处理器从2018年Q3出现供货不顺，持续缺货的情况已延续到2019年，首季部分NB厂商与客户订单缺口已高达10~20%，尤其是低端处理器缺货最凶，预计Q2供应缺口会更大，抑制了部分PC市场需求，存储市场也受到牵连。

第三，NAND Flash价格下滑也是重要因素。部分原厂64层/72层3D NAND良率基本已达到90%以上，在需求增长速度不及供应的情况下，市场陷入严重供过于求的困境，并影响NAND Flash价格持续下滑。据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价，2018年消费类NAND Flash价格指数大跌65%，2019年首季价格再跌19.3%，使得部分厂商获利减少。

来源：中国闪存市场网www.chinaflashmarket.com，数据截止至2019年3月29日

另外，市场还受宏观因素的影响，比如全球经济放缓，中美贸易战的不确定，以及业内人士预期芯片价格下滑的心里因素影响等，都抑制了市场需求的增长，使得大部分产业链厂商看淡2019上半年市况。

为了改善市场供过于求的市况，美光已决定减少NAND Flash和DRAM Wafer晶圆供应量，三星则积极推进智能型手机Mobile DRAM和NAND Flash分别向12GB和1TB大容量需求应用。同时，SSD品牌厂新品上市销售不断，竞争加剧下的市场价格快速下滑，尤其是480GB和512GB容量，正推动需求向480GB/512GB或以上容量升级，企业级SSD在Marvell、慧荣、群联等主控厂支持下，正在向16TB容量发展，刺激终端市场需求大量消耗NAND Flash产能。

除了平衡市场供需，在大趋势恶化的环境下，三星、东芝/西部数据、美光、SK海力士等正在积极推进先进技术的发展，以及在汽车、IOT等潜力市场加强创新应用。比如，三星开始大规模量产28nm工艺EMRAM，并将在2019下半年量产1znm 8Gb DDR4；SK海力士成功开发出1ynm 16Gb DDR5，将于2020年大规模量产，同时还推出较传统SSD性能提高30%的创新ZNS SSD；美光和东芝则加强嵌入式MCP、UFS等存储解决方案在汽车市场的应用。

虽然以目前的形势来看，2019首季存储市况不佳，但随着淡季的结束，Q2市场需求会较Q1明显增加，再加上部分原厂减少效应将在下半年逐渐显现，英特尔处理器产能也会增加，存储产业链企业看好下半年市况发展，甚至预估在Q3旺季有可能出现供不应求的情况。