金士顿的DC1000M使用Silicon Motion的SM2270控制器，16通道设计，这种控制器布局意味着SM2270总共具有三对ARM Cortex R5 CPU内核：一对用于处理NVMe协议的前端，一对用于处理低级NAND管理的后端的每一对。后端的每个部分还具有自己的32位DRAM控制器。闪存芯片采用Kioxia 的 64 层 BiCS3 3D TLC，容量范围从960 GB到7.68 TB。

参数方面，金士顿DC1000M的顺序读取速度可达3100 MB/s，顺序写入速度最高为2800 MB/s，随机读取速度最高为540k IOPS，随机写入速度最高为210k IOPS。

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