为满足数据中心环境的苛刻要求，SSD必须可以较长时间保持持续性能。针对这些独特挑战，三星专门研发并不断优化845DC EVO，使其适用于任何数据中心使用场景，关键时刻发挥其卓越性能。

845DC EVO采用3bit MLC NAND 闪存芯片以及三星全新升级的控制器，不同的RAID配置均拥有卓越稳定的随机读/写和连续读/写性能，优于行业标准SSD10%到25%。从高品质晶片中精挑细选的NAND闪存芯片坚固耐用，在组件和系统水平上经过了严格测试后才批准采用。与行业标准SSD相比，845DC EVO 运行速度快2到3倍。

845DC PRO 配备了尖端的 Samsung 3D V-NAND 闪存，它采用创新性的垂直体系结构，由 24 个单元层相互堆叠而成，取代了试图通过缩小每个单元的长度和宽度来适应当前日趋小型化外形的旧有做法。利用这一技术，硬盘占用面积更小，密度更紧凑且性能更高，并突破了传统的平面 NAND 架构的密度限制。

根据不同的服务类型，数据中心中产生的 I/O 工作负载可包括各种读取/写入混合比率、请求大小和原生指令排序 (NCQ) 队列深度 (QD) 的组合。845DC EVO 经过特别设计，突破了只能提高基本读取/写入性能的自身限制，可以满足数据中心应用程序的各种需求。 此外，它还为同时访问服务器的各种混合工作负载提供了出色的性能。对于各种读取/写入比率，845DC EVO 均表现出了优异的整体性能，使数据中心的总体性能获得大幅改善。当 MLC 3D V-NAND 闪存与 Samsung 3 核 MDX 控制器结合使用时，845DC PRO 可提供极其稳定的每秒输入/输出 (IOPS) 性能和稳定的 I/O 延迟。随机写入的性能稳定性可达到 99%，随机写入的性能稳定性可达到 95%。此外，可根据性能需求、工作负载和成本在各个 RAID 级别中配置 845DC PRO。

利用 Samsung 先进的断电保护架构，在意外断电时保护数据的完整性。利用钽电容中的电流，可为将 DRAM 中的缓冲数据传输到闪存提供足够的时间，从而确保您不会丢失数据。

利用三星先进的断电保护架构，在突然断电时保护数据的完整性。 利用钽电容中的电流，可为将 DRAM 中缓冲的数据传输到闪存提供足够的时间，从而有助于避免数据丢失。

利用 Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology（S.M.A.R.T.，即自动监控、分析和报告技术），主动监控计算机驱动器，以检测和报告各种可靠性指标。 当预料到会出现故障时，S.M.A.R.T. 会向用户发出即将出现驱动器故障的警告，让用户可以提前更换问题驱动器，避免出现数据丢失或突发故障。