Samsung 第九代V-NAND
产品概览
三星第九代V-NAND 1Tb TLC产品已开始量产，凭借当前三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度，三星第九代V-NAND的位密度比第八代V-NAND提高了约50%。
第九代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，可将数据输入/输出速度提高33%，最高可达每秒3.2千兆位（Gbps）。
与上一代产品相比，第九代V-NAND功耗降低了10%。
三星将于今年下半年开始量产四层单元（QLC）第九代V-NAND。
技术规格
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