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Samsung 第九代V-NAND

产品名称
种类:闪存芯片 品牌:三星
上市时间:2024-04-23
应用领域: 移动存储 eMMC Micro SD 闪存卡 嵌入式存储 SSD
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产品概览

三星第九代V-NAND 1Tb TLC产品已开始量产,凭借当前三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度,三星第九代V-NAND的位密度比第八代V-NAND提高了约50%。

第九代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”,可将数据输入/输出速度提高33%,最高可达每秒3.2千兆位(Gbps)。

与上一代产品相比,第九代V-NAND功耗降低了10%。

三星将于今年下半年开始量产四层单元(QLC)第九代V-NAND。

技术规格

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