产品中心

返回 主页

内容开始

Samsung 第八代V-NAND

产品名称
种类:闪存芯片 品牌:三星
上市时间:2022-11-07
应用领域: 移动存储 USB 2.0 USB 3.0 eMMC Micro SD 闪存卡 嵌入式存储 SSD
产品报告: 下载报告
产品概览

三星电子第八代V-NAND容量为 1Tb,并采用了先进的 3D 缩放技术来减少表面积和高度,同时避免缩小尺寸时通常出现的单元间干扰。

三星第八代V-NAND基于Toggle DDR 5.0 接口* ( 最新的 NAND 闪存标准),输入和输出 (I/O) 速度高达 2.4 Gb/秒 (Gbps),这将使新的 V-NAND 能够满足 PCIe 4.0 和更高版本的 PCIe 5.0 的性能要求。

三星电子第八代V-NAND已实现量产。

技术规格

移动端不展示产品参数信息,请使用电脑访问查看!

产品图片
top

深圳市闪存市场资讯有限公司 客服
Copyright©2008-2024 CFM闪存市场 版权所有

本周存储现货行情整体较为稳定,行业SSD和内存条询单积极性提高 打开APP