Samsung 第八代V-NAND
产品概览
三星电子第八代V-NAND容量为 1Tb，并采用了先进的 3D 缩放技术来减少表面积和高度，同时避免缩小尺寸时通常出现的单元间干扰。
三星第八代V-NAND基于Toggle DDR 5.0 接口* （ 最新的 NAND 闪存标准），输入和输出 (I/O) 速度高达 2.4 Gb/秒 (Gbps)，这将使新的 V-NAND 能够满足 PCIe 4.0 和更高版本的 PCIe 5.0 的性能要求。
三星电子第八代V-NAND已实现量产。
技术规格
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