SM2508采用台积电6nm EUV工艺，功耗降低50%，整体功耗不到7W，能效比PCIe Gen4 SSD 高1.7 倍。

SM2508支持八条NAND通道，每通道速率高达3600MT/s，提供最高14.5 GB/s的顺序读写速度和13.6 GB/s的随机读写速度，以及高达2.5M IOPS的随机性能，是PCIe Gen 4产品的两倍。这款控制器的功耗仅为大约3W，得益于慧荣科技独有的第八代NANDXtend技术，包括减少ECC计时的磁盘上训练算法，提高了性能和能效，同时确保与最新的3D TLC/QLC NAND技术兼容，满足下一代AI PC的高数据密度需求。

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