Phison SD控制芯片
产品概览
简介
Phison微控制IC为SD卡的嵌入式NAND应用所设计，都内建Enhanced BCH ECC，采用Program RAM (韧体可更新)，最高达到class 10标准，采用51-pin LGA封装方式 (3.0mm x 7.6mm x 0.7mm)，适用电压2.7~3.6V，内建支持3.3V/1.8V闪存 I/O接口的调节器，支持SD/SPI模式，支援UHS-I (SDR/DDR50)，透过双SRAM缓冲器模式进行良好的闪存控制。内建静态与动态wear-leveling，省电模式。支援CPRM。
PS8030微控制IC支持SD3.0与SDHC和SDXC规格，支援2x8 Flash I/O ，采用0.11微米CMOS制程，支援20/30/40/50+奈米闪存，最高可支持达8 CE pins，支援MLC large block (4k/8k page) NAND闪存，MLC闪存读/写速度可达45/25 MB/s (Testmetrix)。
PS8032微控制IC支持SD3.0与SDHC规格，LGA51与PS8006/PS8007/PS8008 /PS8009 pin-to-pin，支援1x8 Flash I/O，采用55奈米CMOS制程，支援20/30/40/50+奈米闪存，最高可支持达4 CE pins，MLC闪存读/写速度可达27/18 MB/s。
PS8035微控制IC支持SD 3.0与SDHC/SDXC规格，LGA51与PS8006/PS8007/PS8008/PS8009 (不支援Toggle) & PS8032 (支援Toggle)pin-to-pin，支援1x8 Flash I/O，采用55奈米CMOS制程，支援1x/2x/3x/4x奈米闪存，最高可支持达4 CE pins，MLC闪存读/写速度可达90/45 MB/s(MLC)& 90/85 MB/s(SLC/Ultra MLC)。
PS8210微控制IC，支持SD 3.0与SDHC/SDXC规格，支援2x8 Flash I/O，采用55奈米CMOS制程，支援1x/2x/3x/4x奈米闪存，最高可支持达4 CE pins, 2 controller Bus，支援MLC large block (4/8/16KB page) NAND闪存，MLC闪存读/写速度可达90/45 MB/s(MLC)& 90/80 MB/s(Ultra MLC)。
技术规格
移动端不展示产品参数信息，请使用电脑访问查看！
