西部数据iNAND MC EU551采用96层3D NAND，UFS 3.1 Gear4 2-Lane，新的SmartSLC Gen 7，HPB 2.0，带有128G、256G和512G三种容量，持续写入高达1550MB/s。

iNAND MC EU551不仅适用于智能手机，也为广泛的IoT设备提供嵌入式存储解决方案。

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