iNAND Extreme 是一个小型、节能的闪存存储器，可提供高达 128GB 的存储空间。这款闪存器采用闪迪的 1 ynm工艺技术，在缩小内存单元尺寸的同时确保性能或可靠性不变。iNAND Extreme 专门针对新一代平板电脑、智能手机和其他移动设备设计，与众多高级集成开发工具兼容，有助于缩减成本和加快投入市场的速度。

1ynm技术增加容量、缩小尺寸

iNAND Extreme 采用行业领先的闪迪1ynm制造工艺，为智能手机、平板电脑和其他移动电子产品提供一流性能。此工艺采用第二代闪迪 19 纳米 (nm) 技术，可将存储单元尺寸从 26 纳米缩减为 19x19.5 纳米，减幅达 25%。这使得 EFD 体积变小，存储容量变大，而且支持多种消费类产品。

智能闪存

iNAND Extreme 利用智能闪存技术，不仅提供存储数字内容的能力，同时也符合更严格的顺序和随机性能要求，以确保强大的用户体验。这将提供快速启动应用程序、流畅的多任务处理和快速云访问功能。

高响应度和可靠度的性能

借助其下一代移动硬件和软件架构，iNAND Extreme 具有超快的响应速度，并可在设备的整个使用寿命期间提供始终如一的高性能。其双核、双渠道和基于分页的创新架构确保了低延时以及多任务处理和成像应用所需的极速读取性能。增强的读写耐久性和电源抗扰性延长了产品的整体使用寿命。

针对高清视频优化

对于拍摄高分辨率和 3D 视频内容或者与移动设备传输大型文件，快速的顺序读写性能至关重要。高性能的嵌入式闪存存储可以大幅提升多媒体同步速度、文件传输速率和操作系统响应能力。

前所未有地节省空间

iNAND Extreme 采用闪迪的1ynm工艺技术，稳定实施了针对嵌入式大容量存储闪存的 e.MMC 5.0 HS400 规格，尺寸仅为 11.5x13 毫米且厚度仅为 1.0 毫米，存储器容量却高达 128GB。这有助于满足手机、平板电脑等消费类电子产品轻薄便携的设计需求，从而将这些设备中的更多空间用于存放电池、相机等功能部件。

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