铠侠与闪迪最新宣布，预计将在日本进行总额超过310亿美元（约合5万亿日元）的重大投资，该投资以日本政府支持为前提条件。相关投资将持续到2032年，进一步巩固铠侠和闪迪的合作关系。双方已在过去25年间在日本累计投资超过500亿美元（约合9万亿日元）。

顺应市场趋势，上述投资将支持四日市工厂和北上工厂及其相关基础设施和技术的持续建设与投入。铠侠和闪迪均承诺推动有意义的、多年期的比特增长，并确保稳定供应，以满足市场对其创新闪存技术的强劲需求。围绕上述承诺，本次宣布的投资旨在推动合资企业的长期成功，并保障其以规模化、稳定的方式持续交付前沿闪存创新成果。

此外，铠侠宣布，已正式启动位于日本岩手县北上工厂的全新现代化制造工厂Fab3的场地准备及相关建设工作，旨在扩大先进3D NAND BiCS FLASH™的产能。Fab3将建于Fab2南侧，预计将于2029财年投入运营。

受agentic AI、physical AI及on-device AI的驱动，闪存市场中长期预计将持续大幅扩张。铠侠将通过建设Fab3，扩大产能并确保前沿闪存产品的稳定供应，以满足不断增长的市场需求。Fab3的详细规划，包括建设进度和设备投资，将根据市场趋势确定。Fab3的投资计划以日本政府支持为前提条件。