现有产能逼近极限，扩产势在必行

华邦电子近日在法说会上表示，高雄现有Module A目前月产能约1.5 万片，预计年底提高至2.4万片。现阶段16奈米月产能仅约2,000片，公司理想目标是未来将16纳米提高至每月1.6 万片，但转换速度仍需视客户对20纳米产品的需求而定。公司也将透过制程微缩、良率提升及产品组合调整，在Module B量产前，尽可能提高既有厂区的有效产出。

华邦电子预计2026年全年资本支出约395亿元新台币，上半年已投入约75亿元新台币，主要用于高雄厂设备扩充及制程升级。

客户长约直达2030年，高雄Module B顺势启动

华邦电子总经理陈沛铭指出，存储供应紧缺态势明确，目前已有众多客户不满足于既有长约，希望将协议延长至2029年甚至2030年，并提前锁定高雄Module B新厂产能。

然而，Module A扩产完成后，厂内空间几乎已全数用尽。为应对客户对2029年以后产能的强烈需求，公司正式启动Module B建设，预计2027年1月动工，若工程顺利，2029年1月可开始装机，采取设备陆续到位、陆续启动的模式，预计2029年第四季进入较大规模量产，实际产出与营收贡献将主要集中在2030年。

产能方面，新厂的无尘室面积约达3万平方米，是现有高雄厂区的近两倍。若未来全部装满设备，月产能可容纳约5万至6万片，但公司将采取分段扩充策略，首阶段可能先建置1万片、1.5万片或2万片产能，再根据客户需求、产品组合及长期供货协议逐步增加。未来产品将涵盖标准型DRAM、CUBE、Wafer-on-Wafer、客制化ASIC存储芯片及矽电容等，实际设备配置将依客户预测与承诺调整。

制程方面，Module B 将支援下一代14nm及未来12nmDRAM制程，并规划导入EUV设备。公司将先发展非EUV版本的14nm制程，后续再以EUV技术为12nm量产做准备。

此外，华邦电子强调，未来签署长约时不会只追求订单数量，而会优先选择具备5至10年长期竞争力、需求稳定且愿意共同承担产能投资的策略客户，确保Module B大规模资本支出能与长期订单相互配合。