在全球存储大厂将产能全面向AI高端存储倾斜的背景下，深耕利基型存储市场的旺宏电子正迎来“超级周期”。7月28日，旺宏召开法人说明会，公布了创下历史新高的第二季度财报，并宣布追加158亿新台币（约合4.87亿美元）资本支出。随着AI服务器平台迭代及成熟制程NAND供应断层，旺宏选择以高毛利、高可靠度产品为核心，加速抢占结构性缺货红利。

Q2净利暴增3.35倍，毛利率突破64%

财报数据显示，旺宏第二季度业绩迎来爆发式增长。单季合并营收达191.25亿新台币，环比大增83%，同比飙升181%。盈利能力方面更是表现亮眼，毛利率冲高至64.4%，环比提升23.6个百分点；税后净利润达77.36亿新台币，环比暴增3.35倍。单季每股税后净利润（EPS）达3.91元，双双刷新历史纪录，上半年累计EPS达4.82元。

旺宏总经理卢志远指出，目前NAND Flash、SLC NAND及eMMC仍处于严重供不应求状态。公司采取逐月议价（Monthly Pricing）机制，在终端实际需求的强劲拉货下，预计第四季度涨价动能依然存在，平均销售单价（ASP）的持续推升将是支撑高毛利率的最核心因素。

追加158亿扩产，2027年释放3D NAND产能

为应对AI服务器及高密度NOR、成熟型NAND的旺盛需求，旺宏董事会正式通过追加158.1亿新台币的资本支出计划。加上此前规划的220亿新台币，公司整体投资规模已逼近380亿新台币。

这笔追加资金将主要用于扩充12英寸晶圆厂产能。其中，约110亿元用于采购制程设备，约30亿元投入厂务设施及自动化天车系统，其余用于后端测试扩充。随着设备自下半年陆续进厂，长期目标是将12英寸厂月产能从目前的2.5万片提升至3万片以上。

在产能释放节奏上，旺宏副总经理叶沛甫透露，2027年上半年将优先增加部分NOR Flash产能，下半年则陆续开出3D NAND产能。

坚守MLC路线，填补大厂退场后的供给真空

在3D NAND技术路线上，旺宏展现了极强的战略定力。目前，其48层及96层产品已全面投入营运，192层产品预计于2027年推进量产，而300层以上产品仍处于研发阶段，暂无量产规划。未来若推出TLC产品，控制器也将采用自主研发。

针对市场高度关注的eMMC及MLC NAND缺货问题，卢志远明确表示，新增NAND产能将有极高比重投入MLC及eMMC，长期规划逾七成产能配置于MLC相关产品。目前8GB及16GB eMMC供应极度吃紧，32GB eMMC已规划于第四季度量产。

旺宏之所以坚持在“落后”两代的制程上重注，是因为全球头部原厂正加速退出MLC市场，导致工控、车用及公共设施等长周期应用出现严重的供给真空。卢志远强调，SLC密度较低，若替代MLC需使用多颗芯片，不仅成本高昂，还涉及控制器及系统重新设计，且车规验证周期漫长，因此MLC需求具有极高的客户黏性。

AI平台迭代驱动，高密度NOR成核心引擎

除了成熟型NAND，AI服务器同样是此次扩产的重要动能。卢志远指出，随着英伟达GPU平台从Hopper、Blackwell迈向Rubin，每一代系统对高密度NOR Flash的容量需求均呈倍数增加。AI服务器已成为未来NOR Flash最重要的成长引擎。

在客户策略上，尽管部分客户已提出长达两年的长期供货协议，但旺宏坚持审慎分配产能，避免过度集中于少数客户。旺宏认为，多元化客户结构配合逐月调整价格，比盲目签订长约更能有效降低需求反转及客户库存堆积的风险。目前市场拉货主要源于终端真实需求，而非预防性囤货。