据外媒报道，由于英伟达拉高HBM4数据传输速度门槛，由9Gbps提升至10Gbps，美光在满足最新效能要求上遇到困难。

不同于前代产品的基底芯片设计，HBM4最底层改为采用“基于逻辑的基底芯片”，是负责堆叠 HBM 的核心芯片的存储器控制器功能的芯片。从HBM4开始，逻辑芯片将根据客户需求量身打造，并运用先进晶圆代工技术制造。

作为HBM4的关键组件，三星选择采用自家4nm制程生产，SK海力士则交由台积电12nm制程代工。美光未委托专业晶圆代工厂，而是自行以DRAM制程制作逻辑芯片，导致在满足英伟达最新效能要求上显得有些吃力。分析称，美光部分逻辑芯片可能需要重新设计。

目前SK海力士已率先完成HBM4开发，并在全球首次构建了量产体系。