铠侠宣布，已开始出货采用第九代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的512Gb TLC样品，计划于2025财年（2025年4月-2026年3月）启动量产。该产品旨在支持需要高性能和卓越能效的中低端存储容量应用，并将整合至铠侠企业级SSD中，特别是针对人工智能系统GPU效率优化的解决方案。

铠侠持续推行双轨战略，以满足尖端应用的多样化需求，同时提供具有竞争力的产品，实现最佳的投资效率。这两个轴心是：

• 第九代BiCS FLASH™产品：通过CBA（CMOS 直接键合到阵列)技术，以较低的生产成本实现高性能，集成现有的存储单元技术，采用最新的CMOS技术

• 第十代BiCS FLASH™产品：通过增加存储堆叠层数，满足未来大容量、高性能解决方案需求

全新第九代 BiCS FLASH™ 512Gb TLC 采用基于第五代 BiCS FLASH™ 技术和先进CMOS工艺的 120 层堆叠工艺开发而成，与铠侠现有的512Gb BiCS FLASH™ 产品相比，性能有显著提升：

·写入性能：提升61%

·读取性能：提升12%

·能效表现：写入操作提升36%，读取操作提升27%

·传输速率：支持Toggle DDR6.0接口，NAND接口速率达3.6Gb/s

·存储密度：通过平面微缩技术提升8%

此外，铠侠已通过实验验证该512Gb TLC在演示环境下可实现4.8Gb/s的NAND接口速率。