据韩媒报道，三星电子DS部门半导体研究院下一代研究团队常务董事Kim Dae-Woo近日表示，一旦HBM超过16层，现有的热压（TC）键合将可能无法实现，三星电子正准备从16层开始引入混合键合。

HBM是一种垂直堆叠多个DRAM以提高数据处理速度的半导体。键合是连接DRAM的工艺，而TC键合机是该工艺中必不可少的HBM制造设备。

随着下一代HBM层数的增加，必须尽量缩小堆叠间隙。因此，混合键合的引入正在讨论中。混合键合是一种消除现有微凸块（焊球）并将 DRAM 直接连接到铜的技术，具有减少HBM 厚度的优势。

三星电子将在 16 层第 7 代 HBM“HBM4E”中同时采用 TC 键合和混合键合，并将从20层第 8 代“HBM5”开始全面应用于量产。

据悉，SK海力士也正在推行混合键合在HBM上的应用。目前正处于研发阶段，预计最早将应用于HBM4E。

混合键合技术预计不仅可应用于HBM，还可应用于3D DRAM和NAND Flash。但目前普遍的看法是混合键合技术商业化需要时间，因为这项技术需要大规模转型投资，从经济角度来解决这个问题，需要进一步改进现有技术。