韩国半导体设备厂商韩美半导体宣布，将推出用于生产HBM4的专用设备“TC BONDER 4”。该设备针对HBM4对精度要求更高的特点，与同类产品相比，生产效率和精度均有大幅提升。

此前业界认为，混合键合技术对于HBM4的量产至关重要，但最近，JEDEC将HBM4的标准高度放宽至775微米（μm），使得现有的基于TC键合机的制造工艺成为可能。

HBM4是第六代高带宽存储器，与现有的HBM3E相比，数据传输速度提高约60%，功耗降低近30%，预计AI和高性能计算（HPC）市场的需求将激增。TSV（硅通孔）接口数量增加到2048个，是HBM3E的两倍。HBM4最多支持16层，每个DRAM的容量也从24Gb扩展到32Gb。在HBM4的生产中，不允许出现微米级误差，因此高精度的键合技术尤为重要。

SK海力士已于今年3月开始送样12层HBM4，采用已在前一代产品获得竞争力认可的Advanced MR-MUF工艺，实现了现有12层HBM可达到的最大36GB容量，下半年完成量产准备。

三星存储业务执行副总裁Kim Jae-joon日前在财报会议上表示，公司已与多家客户合作，开发基于 HBM4 和增强型 HBM4E 的定制版本。HBM4 的开发细节如期进行，计划于今年下半年实现量产。HBM4 预计将于 2026 年开始商业供应。

美光对HBM4同样充满期待，将于2026年实现量产。