据业界消息，三星电子最新存储芯片发展路线图显示，该司计划最早在2026年生产至少400层单元垂直堆叠的垂直NAND，以最大限度提高容量和性能。

三星电子计划采用新型键合技术，在不同的晶圆上分别创建单元和外围设备，然后进行键合。这种方法将实现具有大存储容量和出色散热性能的“超高”NAND 堆栈，非常适合用于 AI 数据中心的超高容量SSD。这款芯片被称为 Bonding Vertical NAN D Flash，简称 BV NAND，其单位面积的位密度将提高1.6倍。

三星电子计划于2027年推出V11 NAND，进一步发展其堆叠技术，数据输入和输出速度将提高 50%。其目标是到2030年开发超过1,000层的NAND芯片， 以实现更高的密度和存储能力。

SK海力士也已开始研发400层NAND Flash，目前正在开发工艺技术和设备，其目标是明年年底可以实现大规模生产，预计2026年上半年实现全面量产。

铠侠曾在其技术路线图中表示，3D NAND层数以每年1.33倍的增长率，到2027年将可达到1,000层的水平，NAND芯片密度将达到100 Gbit/mm²。

今年以来，随着存储原厂NAND制程相继迭代，200层以上NAND的供应增加，高密度NAND在市场应用中逐步取得进展：

三星236层V8 TLC NAND产能放量增长，同时290层V9 TLC/QLC NAND开始量产；

SK海力士扩大238层NAND在企业级SSD的应用，并推出321层NAND Flash；

铠侠及西部数据推动218层BiSC8 NAND加速在OEM厂商的导入，采用BiSC8和CMOS键合技术生产的2Tb QLC NAND已开始送样；

美光量产276层G9 TLC NAND，并已在面向客户端OEM的SSD中采用。

来源：CFM闪存市场