据韩国业内人士称，三星电子已订购可将HBM所需DRAM芯片质量分为最多三个级别的设备（分选机），这是半导体行业首次尝试在制作HBM之前检查和划分DRAM，三星电子引入这一额外选择流程的主要原因是为客户提供定制化HBM，同时还能提高良率和生产速度。

HBM通过垂直堆叠DRAM制造而成。在前工序中制作DRAM晶圆时，会经过将其切割成芯片的过程，然后进行键合以堆叠芯片。在这两个过程之间引入新设备，在电特性测试（EDS）后根据芯片性能将DRAM芯片分为最多三个级别：S级、A级、B级。

由于HBM规格可以细分，因此可以为NVIDIA等优先考虑性能的公司提供S级HBM，为对价格敏感的客户提供B级HBM。

此前，芯片筛选和堆叠工作是在键合设备内完成的。即使芯片是由同一片晶圆制成的，键合设备也会堆叠符合良好质量标准的芯片，并过滤掉不符合良好质量标准的芯片，并将其被丢弃。在这种情况下，即使是合格的芯片，由于质量不一，实际上也不可能制造出性能最高的HBM，性能较低的芯片则全部被丢弃。

新设备在提高良率和生产速度方面也很有效。新设备能够将精选的芯片垂直安装在载体上，因此在切割过程中产生的颗粒可以被轻松去除，这些颗粒是降低DRAM堆叠良率的主要原因；芯片筛选和异物去除分别进行，由此可以提高键合工艺的速度。此前由于担心在键合机内出现异物，放置和堆叠芯片的工艺不得不相对缓慢地进行，但新设备解决了这一问题。

预计新设备将于明年交付给三星电子，新工艺将逐步导入。