三星电子宣布其首款1Tb QLC第九代V-NAND正式开始量产。此前，1Tb TLC第九代V-NAND产品已于今年4月开始量产，标志着三星在V-NAND技术领域的持续创新和领先地位。

三星QLC第九代V-NAND采用了多项突破性技术，包括：

通道孔蚀刻技术：基于双堆栈架构实现当前业内最高的单元层数，优化存储单元面积及外围电路，位密度比上一代QLC V-NAND提升约86%；

预设模具技术：调整控制存储单元的字线（WL）间距，确保存储单元特性一致，提升数据保存性能约20%，增强可靠性；

预测程序技术：预测并控制存储单元状态变化，减少不必要操作，使写入性能翻倍，I/O速度提升60%；

低功耗设计技术：降低数据读取功耗约30%和50%，通过降低驱动NAND存储单元所需的电压，仅感测必要的位线（BL），减少功耗。

三星电子计划将QLC第九代V-NAND的应用范围从品牌消费类产品开始，逐步扩展到移动通用闪存（UFS）、个人电脑和服务器SSD，为包括云服务提供商在内的客户提供服务。

据CFM闪存市场分析，QLC NAND优势主要在于更高的存储密度和更优的单位成本，尤其适配TB级的高容量存储需求。虽然QLC起初饱受争议，但随着QLC NAND和主控、算法固件等技术日渐成熟，QLC已在性能、P/E寿命和可靠性上大幅改进。各存储原厂在先进制程中积极布局QLC NAND，为QLC扩大应用铺垫道路。目前，QLC产品在消费端及PC OEM市场已有广泛应用，并加速向服务器及智能手机等终端渗透。

服务器、PC及手机需要进一步提高存储容量，同时终端需要控制成本的上浮，而QLC单颗die容量即可达1Tb，产品可以轻松达到TB级容量，利于终端存储成本及空间的优化。而AI大模型和影像模型正在快速发展，AI应用在端侧渗透率增加，终端需要更大容量的存储空间，以保障端侧AI的正常运行和高清影像的数据留存。因此我们认为，在AI快速发展和边缘应用的驱动下，QLC在TB级以上的存储应用中快速渗透。随着终端对TB级的高容量存储需求增加，QLC NAND在各领域的全面应用进一步提速。

来源：公开信息，CFM闪存市场整理