据业界人士透露，SK海力士正在考虑将无助焊剂键合工艺应用于HBM4，目前正在研发层面进行商业可行性审查，并非立即引入和投资。与HBM3E相比，HBM4可以增加4级以上的级数，因此被解释为这是为了减小 DRAM 之间的间距而考虑。

SK海力士在HBM生产中采用的先进大规模回流成型底部填充（先进MR-MUF）方法包括在附着有微凸块的芯片上涂上助焊剂，然后将芯片逐一垂直堆叠并使用热压（TC）接合机，经过临时粘合过程，然后通过回流工艺将整个芯片粘合起来，注入密封剂和模塑，并用TC粘合机施加热量和压力以硬化并完成该工艺。

在此过程中使用助焊剂的优点是能够相对准确地对准和固定凸块和焊盘。但缺点是在清洗过程中可能会残留残留物，可能会影响良率。

目前HBM3E堆叠层数为12层，在第6代HBM4堆叠数量将增加到最大16层，并且最终封装厚度必须设置为775㎛，略高于HBM3E的720㎛。此时，如果保持焊剂利用率，则很难缩小芯片之间的差距。

被选为解决该问题的替代工艺是混合键合。这是因为通过直接将铜与铜连接而不是使用凸块，可以大大减小芯片与芯片之间的间隙。但由于标准不够、技术难度高、制造成本高，被评价为难以立即应用。因此，正在考虑一种新的无焊剂接合方法，该方法通过消除焊剂来减小间隙。

半导体行业预测，无焊剂键合的引入将缩小堆叠式DRAM芯片之间的间隙，并有效减少厚度。考虑到 SK海力士一直保持先进的 MR-MUF 方法直至 HBM4，预计该方法可能会用作预混合键合步骤。