据韩媒报道，三星电子和SK海力士正在将3D DRAM技术与先进的混合键合技术相结合，以进一步提升存储芯片的性能。这一技术的应用预计将在存储芯片领域带来革命性的变化。

混合键合技术是一种先进的半导体封装技术，它通过在芯片之间形成微小的连接点来实现更高的数据传输速率和更低的功耗。与传统的封装技术相比，混合键合技术能够提供更高的集成度和更小的尺寸。

三星电子和SK海力士此次将混合键合技术应用于3D DRAM，意味着他们正在探索更深层次的芯片堆叠和更紧密的连接方式。这不仅能够提高存储芯片的性能，还能够在制造过程中实现更高的生产效率。

业界观察人士认为，这一技术的结合将有助于三星和SK海力士在全球半导体市场中保持竞争优势。随着人工智能、大数据和物联网等技术的发展，对高性能存储芯片的需求日益增长，三星和SK海力士的这一创新举措有望满足市场的需求。

目前，三星和SK海力士尚未公布具体的产品发布计划或技术细节，但可以预见的是，这一技术的应用将为半导体行业带来新的发展方向，并可能引领未来的技术趋势。