三星开发了多级缓冲双列直插式内存模块 (MRDIMM)，无需增加服务器主板上的内存插槽即可提供更多内存和带宽。该模块通过组合两个 DDR5 组件，使现有 DRAM 组件的带宽翻倍，提供高达 8.8 Gb/s 的数据传输速度。预计 MRDIMM 将积极用于需要高性能计算 (HPC) 来处理数据并高速执行复杂计算的 AI 应用。
 
MRDIMM 特性和优势

MRDIMM 使 CPU 能够同时访问单个 DIMM 上的两级内存，芯片组布局为两个相同的 DDR5 DIMMS。这种方法的好处是 DRAM 设备不需要以更快的时钟频率运行。通过同时访问两个 DRAM 设备，CPU 可以有效地将来自 DIMM 的内存带宽加倍。访问两个 DRAM 设备是通过使用驻留在 DRAM 上的特殊多路复用数据缓冲区来实现的，这允许同时访问两个 DIMM，从而使主机的数据速率加倍。

三星第一代 MRDIMM 提供高达 8.8 Gb/s 的数据传输速率。三星目前正在对 16Gb Mono MRDIMM 设备进行采样，该设备具有增强的性能、容量和功耗。凭借这一创新的内存解决方案，三星正在推动人工智能 (AI)、机器学习 (ML) 和大型语言模型 (LLM) 处理的下一个前沿。