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三星最新NAND Flash/DRAM量产日程曝光

AVA 2024-04-12 14:31

据外媒报道,三星电子将于本月晚些时候开始批量生产 290 层V9 NAND 芯片,有消息称三星还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。

DRAM方面,据韩媒报道,三星公布DRAM量产蓝图:2024年底前将量产10nm第六代DRAM,最大特点是以极紫外光(EUV)技术制造,2026年左右将量产10nm级第七代产品、2027年之后将量产10nm以下DRAM产品。并预计在2025年推出以垂直通道电晶体(VCT)技术制造3DDRAM初期版本,并于2030年推出将cell堆叠起来的「堆叠式DRAM」。

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