美光宣布已开始提供升级版UFS4.0样品：采用232 层 3D NAND以及世界上最紧凑的9x13 毫米 (mm) UFS 封装，提供 256 GB、512GB 和 1TB三种容量。

美光UFS 4.0 顺序读写速度可达 4300 MBps、 4000 MBps，是前几代产品性能的两倍。在此速度下，生成式 AI 应用程序中的大型语言模型的加载速度可提高 40%，从而在与 AI 数字伴侣初始化对话时获得更流畅的体验。

美光通过专有固件创新提高了移动闪存存储的标准：

高性能模式 (HPM)：此专有功能通过将关键任务优先于后台任务来优化智能手机密集使用期间的性能。由于在大量使用期间存储访问速度提高了一倍，因此启动多个应用程序时的速度提高了 25% 以上。

一键刷新 (OBR)： OBR 通过自动清理和优化数据，让消费者能够更长时间地从设备中获得最佳性能，从而使智能手机能够继续以全新状态运行。用户将受益于更快的读/写性能，从而使应用程序启动速度提高 10%、快捷的相机胶卷访问和无缝的多任务处理。

分区 UFS (ZUFS)：美光 UFS 4.0 现在允许主机指定可以存储数据的不同区域，从而随着时间的推移提高设备的实用性。这种 ZUFS 方法减少了写入放大，以最大限度地提高设备可以编程和擦除的有限数据周期，而不会降低设备性能，最终延长智能手机的使用寿命，同时使设备长时间保持如新状态。