产业资讯

返回 主页

内容开始

三星发布首款36GB HBM3E 12H DRAM,预计下半年大规模量产

AVA 2024-02-27 15:55

三星电子发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H,这是三星目前为止容量最大的HBM产品。 

三星HBM3E 12H支持全天候最高带宽达1280GB/s,产品容量也达到了36GB。相比三星8层堆叠的HBM3 8H,HBM3E 12H在带宽和容量上大幅提升超过50%。

HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜(TC NCF)技术,使得12层和8层堆叠产品的高度保持一致,以满足当前HBM封装的要求。因为行业正在寻找缓解薄片带来的芯片弯曲问题,这项技术将在更高的堆叠中带来更多益处。三星一直在努力降低其非导电薄膜(NCF)材料的厚度,并实现芯片之间的间隙最小化至7微米(µm),同时消除了层与层之间的空隙。这些努力使其HBM3E 12H产品的垂直密度比其HBM3 8H产品提高了20%以上。

相比HBM3 8H,HBM3E 12H搭载于人工智能应用后,预计人工智能训练平均速度可提升34%,同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。

目前,三星已开始向客户提供HBM3E 12H样品,预计于今年下半年开始大规模量产。

更多资讯

top

深圳市闪存市场资讯有限公司 客服
Copyright©2008-2024 CFM闪存市场 版权所有

CFMS|MemoryS:3月20日,深圳见! 打开APP