恩智浦半导体与台积电合作，推出业界首款采用16nm鳍式场效电晶体（FinFET）技术的车用嵌入式磁阻式随机存取存储器（Magnetic Random Access Memory；MRAM），目前产品已完成测试，预定2025年正式出货给客户。

恩智浦表示，随着汽车制造商朝向软件定义汽车转型，车厂需要在单一硬件平台上支援多世代软体更新。恩智浦的高效能S32车用处理器，结合采用16nm FinFET技术的快速且高度可靠下一代非易失性存储器，能提供支援这类转变的理想硬件平台。

恩智浦进一步表示，MRAM仅需约3秒就能更新20MB的代码，能最大限度缩短软件更新导致的停机时间，并让汽车制造商消除因长时间模组编程而造成的瓶颈。此外，MRAM还能提供高达百万次的更新周期，较NAND Flash和其他新兴存储器技术高出10倍，为车辆任务剖面（mission profile）提供高度可靠的技术。

软件定义汽车让汽车制造商能够通过空中下载（over-the-air；OTA）更新推出全新的舒适、安全以及便利功能，延长车辆使用寿命并提升其功能性、吸引度、与获利能力。随着基于软件的功能在车辆中越趋普及，更新频率将会增加，MRAM的速度和稳健度变得极为重要。

台积电16 FinFET嵌入式MRAM技术凭借其百万周期耐用度、支援焊锡回焊（solder reflow）、以及摄氏150度下还能保留数据达20年，超越车载应用严格要求。