众所周知，高成本压力已经成为高宽带存储（HBM）普及的关键制约因素，然而由于高带宽、尺寸小巧、功耗低的优异性能，使其依然成为各家原厂竞相布局的领域。

此前，在高带宽存储进度上，一直是三星略胜一筹，然而近期SK海力士似乎更有先声夺人之势。有媒体报道，SK海力士近日刚刚公布了下一代高带宽内存（HBM3）的技术规格。据悉，其HBM3产品提升传输速率的同时还在散热方面进行了改进。

SK海力士：HBM3带宽将超665GB/s，I/O速率将达5.2 Gbps，性能提升45%

报道称，SK海力士HBM3产品有望实现5.2 Gbps的I/O速率，带宽将高达665 Gbps，性能较HBM2E提升45%。

在容量方面，预计初代HBM3也将基于16Gb DRAM芯片，由8-hi堆栈达成总计16GB 容量，与HBM2E持平。不过随着JEDEC 敲定最终规范，预期后续HBM3的存储密度会进一步增加。

除了性能方面提升，HBM3还在散热方面做了较大创新。据悉，相较HBM2E，HBM3的散热效果能够提升约36%。

报道称，目前SK海力士的HBM3尚处于研发之中，或在明年晚些时候，在市面上见到搭载 HBM3高带宽显存的下一代CNDA架构的AMD Instinct加速卡、英伟达的Hopper GPU以及英特尔Xe-HPC架构的高性能计算加速器等产品。

HBM让AI、深度学习集成度大幅提升，然高昂的成本仍是其面临的巨大挑战

通俗来讲，HBM就是将多个DDR芯片和逻辑芯片通过TSV方式连接，从而达到堆叠的效果。目前为止实现产业化的仅有两代产品。

正是由于堆栈的方式，HBM可以实现更多的IO数量、更小的产品尺寸，并通过对内存的功耗效率的调整，使得功耗也大幅降低。

鉴于HBM的上述优点，使其成为解决AI、深度学习完全放到片上成为可能，集成度提升的同时，使带宽不再受制于芯片引脚的互联数量。

即便HBM拥有诸多优点，但目前仍未成为主流解决方案，最大阻碍莫过于成本过高。据悉，HBM/HBM2都使用了1024根数据线传输数据，这么多数据线，已经无法用传统的PCB布线实现，因此HBM都需要使用额外的硅联通层，通过晶片堆叠技术与处理器连接。而使用硅联通层会带来高成本的缺点。

对于目前短期可见应用来看，对带宽需求并不算高，然而相信随着人工智能社会的到来，当数据量、计算量达到现有的DDR/GDDR带宽瓶颈后，HBM很可能会是唯一解决方案，而降低其制造成本也成为存储厂商必须跨过的门槛。