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TEL与ASML合力研制下一代NA EUV光刻机,预计2023年投入运行

AVA 2021-06-10 11:06

据悉,日本最大半导体成膜、蚀刻设备公司东京电子宣布,将在镀膜/显影技术上与ASML合作,以联合推进其下一代NA EUV光刻机的研制,确保2023年投入运行。参与该EUV光刻机研发的还有比利时的欧洲微电子中心。

东京电子表示,自旋金属抗蚀剂已显示出高分辨率和高蚀刻电阻,并有望使图案更加精细。然而,含有金属的抗蚀剂也需要复杂的图案尺寸控制以及对晶片背面/斜面金属污染的较好控制。为了应对这些挑战,涂层/开发人员正在联合高NA实验室安装先进的工艺模块,能够处理含金属的抗蚀剂。

有观点将当前ASML已经出货的NXE:3400B/3400C乃至年底的3600D称作第一代EUV光刻机,依据是物镜的NA(数值孔径)为0.33,所谓下一代也就是第二代的NA提升到0.55。0.55NA比0.33NA有着太多优势,包括更高的对比度、图形曝光更低的成本、更高的生产效率等。

EXE:5000之后还有EXE:5200,它们将是2nm、1nm的主要依托。

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