NAND Flash价格于2018年持续下探，然而全球各大NAND Flash原厂仍持续投入产能军备竞赛，2019年新增产能规模将大于2018年，市场供给将大于需求，相较于2018年NAND Flash累积跌幅已达5成，业界预期，2019年跌幅恐将进一步扩大，甚至将有半数的NAND上游制造厂将面临亏损压力。

由于目前全球NAND Flash原厂仍有6~7家，各家市占竞争态势依然激烈，并持续迈入新一代技术制程，包括三星、东芝/西部数据、美光/英特尔、SK海力士等均已发布了96层3D NAND技术，业界预计，2018年NAND Flash累积跌幅已逾5成，96层3D NAND将在2019年上半进入规模化量产，市场价格将进一步再滑落。

此外，各家原厂仍在扩充新厂规模与生产量，包括三星已开始投入新建西安工厂二期工程，东芝除了新工厂Fab6积极投产96层3D NAND，也即将继续投建新厂，SK海力士清州M15厂举行竣工仪式、以及英特尔大连二期工厂等都预计将投产96层3D NAND，至于长江存储的武汉基地也开始逐步生产，预计满载产能将可达到单月15万片。

相较于NAND Flash竞相扩产，2019年三星、SK海力士与美光等3大DRAM厂新产能增加有限，3大原厂应不会破坏目前市场结构，以延续获利的好成绩，加上全球资料中心需求仍强劲，平均成长率约达1成，尤其是大陆市场将可达到15%~20%成长率，加上手机搭载规格提升，以及来自于电竞、IoT、车载等新需求动能持续，整体需求仍会成长，预期2019年DRAM价格可能是持平或是小跌的态势。

由于每家NAND Flash原厂都以5万、10万或逾10万的速度进行扩产，虽然市场需求端也会明显成长，但供给端的扩产情况大于需求端成长，产业发展令人忧心，价格走势也较为保守。

预估，2019年NAND Flash价格相对DRAM较不稳定，跌幅恐扩大，因此若仅做NAND的原厂，2019年营运将会比较辛苦，甚至NAND Flash 上游厂商可能有超过5成将无法获利，但另一方面，NAND Flash持续跌价，将可望刺激市场需求量的快速成长。

市场预估，第4季在短期内DRAM价格较高峰下滑，尤其是英特尔(Intel)CPU供货不确定性为存储器市场带来干扰，但DRAM价格效应有助于推升搭载容量与刺激需求回笼。