三星宣布正在扩大8GB HBM2的生产量，满足人工智能、HPC（高性能计算），先进图形绘制、网络系统和企业服务器等领域日益增长的市场需求。

“通过扩产行业独有的8GB HBM2产品，确保充足的供应满足IT系统厂商开发新产品和升级系统，”三星电子存储销售与营销团队副总裁Jaesoo Han表示，“三星将与客户密切合作，持续提供更先进的HBM2产品线。”

三星8GB HBM2由8个8Gb Die和一个缓冲Die在底部组成，通过TSV硅穿孔和micro-bumps微凸点技术彼此连接。每个8Gb Die包含5000多个TSV硅穿孔，三星8GB HBM2封装有40000多个TSV。

HBM2拥有256GB/s的数据传输带宽，是32GB/s GDDR5 DRAM芯片的8倍，较4GB容量翻倍的8GB HBM2有助于提高系统的性能和能源效率，可理想的升级密集、高端计算应用的数据处理，以及并行计算和图形绘制。 

为了满足市场需求的增加，三星预计到2018上半年大量生产的8GB HBM2在HMB2的占比将超过50%。

HBM2和TSV(Through Silicon Via)技术应用于最新的DRAM解决方案，三星承诺致力于DRAM技术的创新，三星8GB HBM2可体现行业HBM2性能的最高水平，以及可靠性和能源效率。