东芝今天宣布利用Through Silicon Via（TSV）技术开发了世界上第一个BiCS Flash立体（3D）Flash存储器，并将于8月7日至10日在美国圣塔克拉拉举行的2017年闪存峰会(Flash Memory Summit 2017)上展示其原型，产品样品将在2017下半年出货。

东芝结合48层3D NAND和TSV技术实现存储器带宽的提高，以及低功耗。TSV技术的BiCS Flash使16-Die堆叠的单芯片可实现1TB容量；8-Die堆叠的单芯片容量达512GB。

东芝将BiCS Flash与TSV技术结合，提供高端企业级SSD，满足需要低延迟、高传输、高IOPS的数据存储需求。