韩国业界传出消息，指三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)将完全中断28nm制程DRAM生产，计划加速提高更先进DRAM制程占比，两家韩国存储器大厂纷纷加速提升先进制程占比，或有可能造成暂时性的DRAM供给不足现象。

韩媒ChosunBiz引述业界消息人士说法，指出三星、SK海力士2017年第1季，已完全中断28nm制程DRAM生产。其实从2016年起，两大韩国存储器厂三星与SK海力士，已开始分阶段减少28nm制程DRAM生产，并且相对逐步提高20nm、18nm制程DRAM生产比重。

三星最早于2011年量产28nm制程DRAM，6年后28nm制程宣告走入历史。28nm制程可视为三星、SK海力士，拉大与DRAM竞争对手差距的关键制程技术，相较当时日本、台湾等竞争对手，三星制程突然大跃进，挺进28nm制程DRAM量产；28nm制程较30nm级制程约提高50%产能，耗电量则可减少40%以上。

2011年三星率先展开28nm制程，也使当年三星全球DRAM市占率突破40%大关。SK海力士紧接著于2012年展开28nm制程，同年SK海力士全球DRAM市占率也冲上24%新高纪录，28nm制程帮助两大韩厂牢牢站稳DRAM市场领先地位，之后也开始陆续展开25nm、20nm及18nm制程DRAM量产。

韩国业界人士分析，除了中断28nm制程DRAM生产，三星与SK海力士也将开始分阶段，下调25nm制程DRAM生产比重。2016年第1季，三星25nm制程DRAM占比高达40%，预计2017年将大幅减少至20~10%，并计划于2018年下半期中断25nm制程DRAM生产。SK海力士也是类似，目前25nm制程DRAM占全体DRAM生产的50%左右，预计2018年将逐渐降至10%以下。

2017年三星、SK海力士中断28nm制程DRAM生产，并且逐渐降低25nm制程DRAM生产比重，相对将计划大幅提高18nm等，更先进制程DRAM生产比重。市调机构IHS Markit曾预估，三星将于2017年之内，逐步提升18nm制程DRAM至全体生产比重的30%，SK海力士也计划将目前仅占1~2%的生产比重，一口气提升至12%左右。

韩国业界人士分析，三星、SK海力士DRAM生产逐步转至更先进制程，或有可能造成暂时性的DRAM供给不足现象，因为两家韩国存储器大厂的18nm制程DRAM良率，目前相较25nm制程及20nm制程仍显低落，提升良率与稳定生产仍需不少时日。