存储器市场竞争激烈，韩厂为了保住技术优势狂砸钱，估计今年投资额将比去年提高将近三成。

BusinessKorea 17日报导，国际半导体设备材料产业协会(SEMI)数据显示，三星电子和SK海力士(SK Hynix)今年计划砸140亿美元，投资半导体设备，总额比去年的110亿美元，高出27.3%。其中三星将砸下100亿美元，SK海力士则会花费40亿美元。

韩厂投资规模在全球居冠，今年除了英特尔(Intel)之外，台积电、美光、中芯国际都打算减少设备投资。

三星和SK海力士拟大举投资，提高3D NAND Flash的生产比重。目前三星DRAM和NAND Flash的生产比重为6:4，SK海力士则为7:3，都仍以DRAM为主。两家业者都计划增产高附加价值的3D NAND，寻求更高获利，做出市场区隔。

不过韩厂砸钱投资，可能会让存储器市场再陷供过于求。BusinessKorea先前报导，瑞银8日报告称，2017年SK海力士表现将创历史新高，但是2018年好景不再，营益将惨跌36%。

瑞银估计，SK海力士的主力业务--DRAM，将从第二、三季开始供过于求。NAND Flash则会2017年下半开始供给过剩，2018年更为严重。有鉴于此，瑞银宣布调降SK海力士评等。