Embedded Technology 2016 & IoT Technology 2016年登场，工控存储器供应商宜鼎国际今年照例参展，主轴放在与Marvell合作的PCIe 3ME和SATA 3ME4系列控制芯片，以及针对汽车电子发布的多款解决方案，同时也宣告宜鼎在NAND Flash控制芯片的合作伙伴的策略上更为弹性，且下世代主流的3D NAND技术在工控领域的定位上，宜鼎更是审慎观察发展动态。

今年是传统NAND Flash技术转3D NAND的起始年，配合各家存储器大厂的3D NAND量产时程，宜鼎也持续投入新技术开发。

宜鼎指出，传统2D时代的Floating Gate架构采用的芯片错误纠正技术BCH，但到了3D NAND技术世代，针对电压准位跑掉的侦错技术必须更上一层楼，需采用LDPC(Low Density Parity Check)错误修正技术来提高NAND Flash芯片的耐用寿命，而宜鼎开发的L3架构韧体技术，是基于原本L2架构韧体技术并搭配最新的LDPC错误修正技术而成。

宜鼎今年在NAND Flash芯片策略上有重大突破，首次和Marvell合作开发新芯片，这也是Marvell肯定宜鼎在工规存储器产品上的地位；同时，宜鼎也将L3架构韧体技术导入工规的存储产品中，包括与Marvell合作的SATA 3ME4系列产品。

宜鼎在NAND Flash控制芯片策略上转趋更为有弹性，旗下的SATA III产品在线，各自与3家NAND Flash控制芯片供应商配合，除了新加入的Marvell之外，还有原本的慧荣和智微，让各个产品线的策略更为灵活配合。

宜鼎表示，和Marvell合作的PCIe 3ME和SATA 3ME4芯片已经在9月底送样给客户认证，11月开始量产出货，Marvell是少数单一芯片可以同时支持PCIe 3和SATA 3的控制芯片，对该颗产品后续的渗透率有高度期望。