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华邦电成功开发3xnm DRAM制程,预计Q4量产

Helan 2016-10-17 11:31

存储器大厂华邦电董事长焦佑钧指出,华邦电已经成功自行开发3xnm制程技术,为台湾首家自主开发nm级DRAM技术的厂商,且已在上周完成认证,并可望在第四季开始进入量产。

华邦电上周六(15日)举办家庭日活动,总经理詹东义指出,公司近年积极布局车用与工控等市场有成,今年第二季营收占比已经升至16%,且第四季客户需求强劲,公司的产能已经被预订。

华邦电也指出,公司投入三年时间自行研发的3xnm技术已完成客户认证,预期从46nm导入3xnm约需二年的时间,也就是在2018年会成为公司主流制程,采用3xnm制程将能提高产品的质量、性能,每片晶圆产出位元也将大幅增加40%-50%。
 

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