东芝7月27日宣布推出堆叠结构64层3D NAND（BICS）Flash样品， 这是全球第一款64层 3D NAND Flash。

在3D NAND技术上，三星最早开始量产3D NAND，目前三星以48层量产为主，现在东芝宣布推出世界首款64层 3D NAND样品，有意赶超三星。虽然三星未对外宣称64层3D NAND相关情况，但预计已经在进行中，而且为了稳固领导地位，势必加快3D技术的发展。

东芝该64层3D技术采用TLC架构，目前实现单颗Die最大256Gb的容量，基于此领先的制程水平，东芝还在继续努力发展BICS Flash，希望打造一个新的里程碑，使其在64层的基础上单颗Die的容量最大可以做到512Gb，这也象征着东芝先进技术的进步。

3D技术64层相较于48层3D NAND单位容量可以实现40%的提升，可降低每bit的成本，同时增加了每一片Wafer的产出量。64层3D NAND可以满足更高的性能要求，可以广泛应用在企业级/消费类SSD、智能型手机、平板和存储卡中。

东芝在2007年6月首次宣布推出世界上第一个3D NAND存储技术的原型产品，公司一直在积极推进BICS Flash技术的发展，以满足更小尺寸更大容量的市场需求。

日前，东芝和西部数据在日本三重县四日市为新建的Fab 2工厂举行开幕仪式，新Fab2工厂的完成将加快东芝和西部数据从2D NAND快速切换到3D NAND，从而提供更高密度及更高性能的闪存产品，应对市场日益增长的存储需求。

东芝64层3D NAND预计将在2017上半年在新的Fab 2工厂量产。为了扩大3D NAND量产，东芝还规划未来3年砸8600亿日元投资NAND Flash，除将兴建3D Flash新厂房之外，还将对现有厂房进行设备更新，以提高3D Flash的生产比重。东芝目标是在2017年度将3D NAND占整体NAND Flash生产比重提高至5成，2018年度进一步提高至9成左右水平。