近几年智能型手机、平板电脑等移动设备和4G网络的普及，直接拉动移动互联网和物联网市场快速增长，个人、企业、云计算、国家安全等数据存储需求与日俱增。进入2015年，虽然智能型手机的同质化明显，需求愈发集中，品牌厂商面临的挑战日益增大，智能型手机出货成长趋缓，但搭配存储容量在倍增。与此同时，大数据市场需求旺盛，移动互联网应用、电子商务等领域海量的文本、图片、音视频等数据倍增，再加上科学研究、档案资料等，产生的数据以每年ZB的数量级增长，预计到2020年全球数据量将超过40ZB。中国作为一个互联网大国，对安全、可靠、稳定、高速的本地数据存储有着大量的需求。

然而，中国大数据需要的储存芯片缺乏关键技术，几乎90%以上的芯片都要依赖国外进口。在国家大力发展的集成电路产业中，存储器领域的重要地位已经不言而喻。据相关信息显示，紫光集团与武汉新芯将联手合作，强烈地表达出推进存储器本土化的决心。

近年来紫光集团频频出手，去年试图与SK海力士共同研发NAND Flash技术却遭到对方婉拒，高调入股西部数据获得SanDisk的NAND Flash资源也同样落空，但未来仍将投资300亿美元，主攻储存用的半导体芯片制造，这有望成为中国最大的储存投资项目。

目前，武汉新芯正在建设新的存储器产线，规划2018年初开始生产，初期计划以先进的3D-NAND Flash为策略产品。为了强化3D技术实力，武汉新芯已取得飞索（Spansion）半导体的技术授权，欲在NAND Flash技术拐点与国际大厂站在同一轨道。虽然现阶段三星、东芝等巨头的3D NAND技术已达到48层，武汉新芯在2017年才有望量产32层堆叠的产品，但在多方大力推动下，差距会很快缩小。据悉，武汉存储器基地项目将在5年内投资240亿美元，预计到2020年可形成月产能30万片的规模，到2030年达到每月100万片的产能。

紫光集团联合武汉新芯，一方面在IC设计、生产制造、硬件设施等方面能够做到优势互补，避免重复投资和内部消耗；另一方面，在国家政策、资金实力以及上下游配套资源等方面存在广阔的合作与想象空间，体现出巨大的市场价值，对于中国半导体的发展，尤其是在NAND Flash领域的突破有着积极的促进作用。