南韩经济日报昨(15)日传出，三星电子打算在明(2017)年底前扩充3D NAND存储器产能、总共要斥资25兆韩元，主要扩产的是位于中国西安的厂房、预定今年稍晚会于该厂新设一条3D NAND生产线，另外还将在南韩平泽市的厂房投入资本。

虽然根据韩国时报报导，三星电子已否认上述消息，宣称3D NAND的投资内容尚未敲定，但分析师似乎认为韩媒的报导内容相当可信。

barron`s.com 16日报导，J.P.摩根发表研究报告指出，三星应该会在今年底将3D NAND的月产能拉高至接近16万片晶圆(西安厂12万片、Line 16厂接近4万片)。三星的西安厂目前已接近产能全开，且该公司还计划把Line 16厂的部分2D NAND产能转换为3D。

另外，三星也将善用Line 17厂在二楼的空间，于明年投产3D NAND。依据上述假设，J.P.摩根估计三星明年底的3D NAND月产能将攀升至22万片(西安厂12万片、Line 16厂近6万片、Line 17厂近4万片)，等于是比今年底的月产能(16万片)扩充37.5%，并占业界总体产能的12%。

R.W. Baird分析师Tristan Gerra甫于5月31日发表研究报告指出，三星可能会在今年下半年把一大部分的DRAM产能转移到NAND存储器，同时将18nm制程产能初步拉高。

Gerra认为，下半年NAND的产业市况相当乐观，主要是拜iPhone 7的存储容量增加(该款智能机应会增添256GB版本)、PC加速采纳固态硬盘(SSD)之赐。他说，这会让NAND定价在下半年稳定走扬。