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英特尔、美光共推3D XPoint 对DRAM取代效应大

Helan 2016-05-23 10:39

英特尔(Intel)和美光科技(Micron)共同发布的高效能存储器芯片3D Xpoint,有机会大幅改变存储市场,分析师认为,3D Xpoint未来可能会取代DRAM而非SSD。

Enterprise Storage Forum报导,3D Xpoint被称为是1989年NAND芯片问世之后第一个新的存储器类别,这个技术可能在未来18~24个月大量普及,但目前各界对3D Xpoin却不熟悉。

根据英特尔的说法,3D Xpoint比Flash快1000倍,持久性也是1000倍。其密度比DRAM高最多10倍,这意味着制造成本可以降低,其延迟性则大约比企业级SSD低10倍。

在存储领域里,3D Xpoint是介于DRAM和NAND之间的类别。在本质上,3D XPoint比较接近快速且昂贵的Flash,而非便宜与缓慢的DRAM,因为其存储媒介是非动态的。

英特尔指出,使用3D Xpoint技术的SSD,可以比传统NAND达到高达10倍的效能。关键在于,3D Xpoint是要取代动态DRAM的系统内存,也是要取代NAND。

Objective Analysis半导体分析师Jim Hardy指出,一般在进行采购决策时,都希望用更低成本达到更好效能,因此减少DRAM、增加3D XPoint是最有效的。

而如果拿3D Xpoint来减少SSD或HDD,都是用一种昂贵的技术来取代便宜的技术,但速度增加却有限。由这个角度来看,3D XPoint应不至于冲击SSD销售。而若预算有限,那么花100美元来买3D Xpoint,相较于DRAM,确实可以产生较佳效能。因即使3D Xpoint比DRAM稍慢,但你可以买更多的3D Xpoint,来处理更多数据。因此增加3D XPoint可以让系统变得更快,也就是说,3D Xpoint应该会取代DRAM而非NAND。这对英特尔和美光是好消息。

至于要用3D Xpoint来取代SSD,Handy指出,虽然很多业者想要全Flash的阵列,但要把所有企业资料都放到昂贵的Flash存储设备,是不合理的。Hardy认为,3D Xpoint未来将会用于服务器市场,包括企业资料中心与云端资料中心,而不会出现在终端用户的机器。

美光认为,3D XPoint一开始会用于资料分析、数据挖掘、数据仓库、在线交易处理、虚拟基础设施、绘图分析与虚拟桌面基础架构(VDI)等。美光预期,在2年内会有5%的主流服务器采用3D Xpoint,到2022年会提升到30%。

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