2015年NAND Flash综合价格指数大幅下滑35%，2016年NAND Flash综合价格指数续跌4%，消费类每GB当量NAND Flash销售价格更是下探至0.115美金，再加上DRAM市场需求大幅减少，从2015下半年开始市场就有供给过剩的问题，导致上游原厂财报均受到不同程度的冲击，2016年原厂只有设法提高成本竞争力，以求改善业绩。

近期原厂纷纷公布的Q1财报显示，三星Q1半导体部门营收11.15兆韩元，虽同比增长8.6%，但营业利润同比下滑10.2%至2.63兆韩元；SK海力士首季营收3.66兆韩元，环比下滑17%，同比下滑24%，净利润同比下滑65%；美光最新财报营收29.3亿美元，环比下降12%，同比下降30%。因此，原厂不得不通过提升各自的生产工艺和调整市场策略的手段来寻求更多的利润空间。

DRAM方面，三星目前以20nm量产为主，并向18nm DRAM量产切入。有业界人士透露，三星韩国华城工厂生产的18nm DRAM，已经开始出货，将供货给苹果。三星还加强服务器/移动等高附加值DRAM产品的供应量。随后SK海力士也宣布扩大2znm工艺DRAM量产，预估2016年将达到最高比重，并加速向1xnm DRAM发展；美光也会加快进入1xnm DRAM量产，但要等到2017年才会大量出货。

NAND Flash方面，三星向14nm扩大量产，同时增加48层3D NAND产出量，SK海力士也要向14nm制程切入，并计划在2016年下半完成第三代(48层)NAND Flash研发并进入量产，以提高3D NAND Flash产品竞争力。美光积极投入的3D NAND量产，主要是用于需求快速增长的SSD产品，好提高产品营收。

在面对市场价格下滑的压力下，各原厂都在积极应对中，而加快新制程切换以及向3D NAND发展来降低成本是原厂一贯的做法，在这场价格和技术的博弈中，需要市场积极去消化，这样才能推动Memory市场健康发展。