东芝研发全球首款TSV技术16-Die堆叠的NAND
Helan 2015-08-06 17:00
东芝8月6日宣布采用Through Silicon Via (TSV)技术推出全球首款最大堆叠16-Die的NAND Flash，将在8月11-13日在美国加州圣克拉拉举行的2015年闪存峰会（Flash Memory Summit 2015）上展示其原型。
目前NAND闪存堆叠是运用引线键合技术（Wire Bonding），使芯片与封装基板或导线框架完成电路的连线，以发挥电子讯号传输的功能，TSV技术通过垂直导通整合芯片堆叠的方式，达到芯片间的电路互连，有助于以更低的成本，提高系统的整合度与效能，达到数据高速输入和输出，并降低功耗。
东芝TSV技术实现I/O数据速率超过1Gbps，核心电路1.8V，I/O电路1.2V，读写和I/O数据传输的功耗可以降低大约50%。
全新的NAND Flash低延迟、高带宽和高IOPS/Watt等特点为高端企业级SSD提供理想的解决方案，这项应用技术部分由日本新能源和工业技术开发组织(NEDO)研发。
