DRAM和NAND Flash微缩制程逼近极限，业界认为次世代存储器MRAM、ReRAM可能即将现身，要以更快的存取速度横扫市场。

韩媒16日报导，南韩半导体业者指出，16nm将是DRAM微缩制程的最后极限，10nm以下制程需要缩小晶体管体积，但是薄膜厚度却无法缩减，也可能不适合采用高介电常数(High-K)材料和电极。MRAM和ReRAM因此备受期待，认为可以取代DRAM和NAND Flash，业者正全力研发。

两种新存储器都是非挥发性存储器，切断电源后资料也不会消失，速度比现行存储器快上数十倍到数百倍之多，由于内部构造较为简单，理论上未来微缩制程也有较大发展空间。其中MRAM采用磁阻效应(Magnetoresistance)技术，研发业者有SK海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)。ReRAM则靠着绝缘体的电阻变化，区别0和1，外界认为或许能取代NAND Flash。

日经新闻2014年1月1日报导，东芝（Toshiba）将携手南韩海力士（SK Hynix）预定2016年度量产大幅提高智能型手机性能的次世代存储器MRAM，量产时间将比美国美光科技所计划的2018年提前了约2年时间。

MRAM研发可分为三大阵营，除了上述的东芝/SK海力士之外，三星电子也正进行研发，而美光则和东京威力科创（Tokyo Electron）等20家以上日美半导体相关企业进行合作，希望于2016年度确立MRAM的量产技术、之后并计划 2018年透过美光子公司尔必达（Elpida）的广岛工厂进行量产。

Market Realist去年4月28日报导，美光科技和Sony在国际固态电路研讨会(International Solid-State Circuits Conference)上表示，正透过27nm制程，开发16-Gbit的ReRAM；Sony预定2015年量产ReRAM芯片。专家表示，三星应该也在研发包括ReRAM的次世代存储科技。