3D NAND将起量 力成受惠
Helan 2015-03-30 09:08
在三星正式量产3D NAND之后，美光／英特尔、东芝／Sandisk等两大阵营，近日不约而同发表3D NAND制程技术的最新进度，下半年就可开始小量生产并对客户送样，明年上半年就可进入全面量产阶段，而承接两大阵营后段封测业务的力成（6239）将成最大受惠者。
NAND Flash厂进入1y奈米世代后，再往下发展，微缩难度大增且制造成本快速攀高，由于2D平面架构的NAND Flash制程走到10/12奈米越靠近物理瓶颈，因此国际NAND Flash厂今年加快3D NAND的技术研发及量产。
继三星去年下半年正式在大陆西安厂量产3D NAND之后，包括东芝／Sandisk、美光／英特尔等业者近期陆续宣布3D NAND生产计划。东芝近日宣布，与Sandisk合作开发的管道成形位元可变成本（P-BiCS）技术3D NAND，已实现48层堆叠层数，超越先前的16层堆叠设计，也超越三星量产中的32层堆叠层数。东芝首款128Gb 3D NAND晶片已对客户送样，明年将在新翻修后的日本四日市Fab2中量产。
美光及英特尔上周亦揭露更多3D NAND技术细节，虽然仍采用传统浮动闸极（floating gate）技术，但已实现32层堆叠层数，若采MLC规格可生产256Gb 3D NAND，若改成TLC规格容量可再放大到384Gb。美光／英特尔预计今年内可开始生产，将可让M.2规格固态硬盘容量上看3.5TB，2.5吋SSD容量更可上看10TB。
英特尔认为SSD技术会随着摩尔定律成长，在容量及效能提升的同时，单位成本及售价也会逐步下降，可以提供更快的存取效率及更大的储存空间。业界人士分析，3D NAND今年可说是起飞年，明年四大厂开始拉高3D NAND投片量进入量产后，将着重于用在SSD产品上，因而SSD市场渗透率将快速冲高。
包括东芝／Sandisk、美光／英特尔等两阵营，今年下半年均开始小量生产3D NAND，由于四家业者主要后段代工厂都是力成，因此随着3D NAND的产能逐步放大，力成将可承接后段封测代工大单。此外，因四家业者量产3D NAND的目的就在于扩大SSD出货，力成已完成NAND Flash到SSD的完整封测代工产能建置，可望成为3D NAND市场快速起飞下的最大受惠者。
