三星电子半导体发展有成，或许有望超业界龙头英特尔(Intel)？IHS数据显示，双方市占率差距缩小至3%，韩媒称，如果三星出手并购、增加投资，有可能取代英特尔，当上半导体老大。

韩媒BusinessKorea报导，IHS 24日公布，英特尔去年全球半导体市占率达14.2%，卫冕市场霸主；三星电子以10.9%市占率紧追在后，虎视眈眈英特尔的王者地位，双方差距仅剩3.3%。

南韩专家认为，三星若能在非存储器领域加码并购、放胆投资，有望在四五年内挤下英特尔，篡位为王。

三星市占大跃进，主因存储器表现突出，三星在2013年率先开发出3D V-NAND技术，之后又抢先各家，第一个跨入20奈米DRAM制程。业界估计，三星半导体部门第一季营益将冲上3兆韩元(27亿美元)。

Barrons.com先前报导，野村证券分析师Romit Shah指出，三星正在蚕食美光DRAM订单，并且撼动美光在NAND存储器的领先地位。Shah点出三星威胁在于其DRAM进步速度远远超过美光。存储器位元每年均会因制程技术进步而增加，并带动价格下降，去年三星位元成长率（Bit Growth）来到55%，而美光仅有5%。

韩媒etnews 19日报导，三星自行研发的Exynos 7420应用处理器颇受好评，该公司为了提升系统半导体部门的竞争力，再接再厉跨入系统单晶片(SoC)领域，将结合应用处理器和Modem，发布功能更强大的芯片。据悉三星去年已推出适用于低阶智能机的二合一芯片，如今要朝高阶机种迈进。