三星电子(Samsung Electronics)领先全球同业、于去年10月抢先量产3D架构的NAND Flash产品，但三星的领先优势恐维持不了多久，因为三星NAND Flash最大竞争对手东芝(Toshiba)传出将在今年下半年量产3D NAND Flash、且其制造技术更胜三星一筹！

日本媒体产经新闻25日报导，三星于去年量产的3D NAND Flash产品为垂直堆栈32层，但东芝已研发出超越三星的制造技术、可堆栈48层，且东芝计划于今年下半年透过旗下四日市工厂开始量产上述48层架构的3D NAND Flash产品。NAND flash多用于智能机、平板等移动设备，电源关闭后，储存内容也不会消失。

报导指出，东芝所将量产的3D NAND Flash产品存储容量较现行产品呈现大幅度提高、且也将超越三星的产品。据报导，三星于去年量产的3D NAND Flash产品传出不良率偏高、且获利不佳，而东芝虽面临同样的问题，但因已确立了生产技术、故已决定进行样品出货。

据报导，东芝和三星皆计划于数年内研发出容量达1Tb(Tera bit；1Tb=1,000Gb)的3D NAND Flash产品，而一旦实现，就可在智能手机储存高达数十小时的4K影片。