虽然三星及东芝去年下半年NAND Flash新厂已开始投产，但因供应商去年下半年设备采购规模大减，今年NAND Flash位元成长率（bit shipment growth）估计仅38％，创下历史新低纪录。业者认为，今年第1季NAND Flash虽因淡季效应供给过剩，但第2季后需求明显回升，价格止跌上涨机率大增，群联及创见受惠最大。

三星西安厂去年下半年开始投产，主力放在3D NAND产品，东芝及SanDisk合资的Fab5第2期则在去年9月正式投产，主要生产15奈米NAND Flash。随着两大厂产能开出，去年第4季至今年第1季的NAND Flash虽供给过剩，所幸苹果iPhone 6/6 Plus将内建NAND Flash容量拉高一倍，大幅纾解供过于求压力，价格下跌幅度趋缓。

不过，三星西安厂及东芝Fab5第2期投产后，扩建新生产线的设备采购动作均告一段落，只有针对制程微缩至1y或1z奈米的关键设备进行投资。至于SK海力士M12前年因无锡厂大火将产能转向生产DRAM，去年下半年又转回生产NAND Flash，但并无大规模扩建新生产线的计划。

总体来看，NAND Flash厂今年主力均放在制程微缩及3D NAND产品，去年下半年的设备采购规模大减，也让今年市场产能成长率大幅压低。根据微影设备大厂荷商艾司摩尔（ASML）预估，今年NAND Flash位元成长率仅35％，而美光则预估今年位元成长率仅38％，创下历史新低。

但由供给面来看，今年需求却是快速成长，除了消费型及企业用固态硬盘（SSD）市场规模将较去年成长逾一倍，且主流容量亦年增一倍至256GB，智能型手机大厂也将内建eMMC容量拉高一倍，苹果iPhone 6/6 Plus搭载128GB后，三星新机最高容量也达128GB。至于大陆中低阶智能型手机，平均搭载容量也由16GB大举提升到32GB。

由于3月开始进入智能型手机销售旺季，NAND Flash市场拉货动能转强，加上三星新产能几乎都被自家手机事业包走，第2季供给过剩问题将一扫而空，业界认为价格不仅可望止跌，还有机会出现小幅反弹上涨走势。法人认为，群联及创见的营收有8成以上集中在NAND Flash应用，第1季又增加不少低价库存，将成为最大受惠者。