2015年开始上游芯片厂三星、东芝/SanDisk、美光、SK海力士NAND Flash 2D纳米制程技术大多都要转向1znm（即12nm-15nm之间）工艺生产来提高产量。然而，随着NAND Flash纳米制程技术不断向下延伸，越来越接近8nm工艺的物理极限，让NAND Flash面临量产难度增加和良率下降的瓶颈。基于成本和技术延伸性考虑，以及生产更好性能的NAND Flash，三星、东芝/SanDisk、SK海力士、美光开始加速布局3D Flash技术。

来源：美光

在3D Flash技术上，三星动作最快，从2013年开始量产24层Cell的3D V-NAND，2014年量产第二代32层Cell 的3D V-NAND，并广泛应用于自家的SSD产品上，2015下半年将生产48层堆栈产品，并计划在2016上半年投入64层Cell量产。三星在大陆西安的Flash厂就是专门用于3D V-NAND的生产，南韩业界认为，三星的3D V-NAND比重将从2015年的15%提升到2016年35%水平。

东芝和SanDisk除了Fab 5二期工厂，改建的Fab 2工厂主要为3D NAND Flash生产所准备，美光日前则宣布投资40亿美元扩建新加坡的Fab 10晶圆厂，明年底开始量产第二代3D NAND Flash，预估建成后每月产能大约14万片等效晶圆，此次投资总额约为40亿美元，整个项目要到2017财年也就是2016年Q4季度才能完成，其中2015财年先期投资为5亿美元。东芝和美光预计起初采用24层Cell开始堆栈，2015年底或2016年初将会把堆栈层数提高到30-40层。

来源：美光

SK海力士2014年研发出24层堆栈的NAND Flash，并对部分客户提供样品，目前正在研发36-40层堆栈的产品，2015年将完成产线生产及生产性验证，并于2016年初作为主力产品投入量产。

如今来看，三星、东芝/SanDisk、美光均有投资新建工厂来为3D技术的发展铺路，而之间的竞争也越演越烈，除了三星之外，预计到2016年其他芯片厂3D NAND Flash将开始大规模放量。