存储器封测厂力成 (6239) 与美光科技(Micron)签订一系列半导体封装投资合约，力成将透过中国大陆西安设立子公司与美光共同合作从事半导体封装业务。

力成表示，初期投资金额预计7000万美元，做为资本额，视未来发展状况陆续增加设备等资产投资。连同原始资本投资，力成表示总投资金额预计2.1亿美元。

根据双方签订合约，美光将在西安高新技术产业开发区的现有测试及存储器模块厂旁，兴建一厂房，提供力成做为新设封装子公司使用。力成可藉此机会让封装服务范围扩展到中国大陆西安地区。

力成总经理洪嘉(金俞)表示，此投资案由力成独资，主要因应美光集中标准型内存封装需求。

洪嘉(金俞)预估，西安封装厂将以标准型动态随机存取内存(DRAM)产品为主，预计建厂时间需要10个月到12个月，预估2016年上半年可进入量产阶段。

洪嘉(金俞)表示，部分设备将从台湾迁移过去，也会添购新设备。

对于此投资计划，洪嘉(金俞)指出，DRAM内存封测业绩占力成整体业绩比重约1/3，加上美光是力成主要客户，双方合作可达双赢效果。

洪嘉(金俞)表示，西安标准型DRAM封装厂量产后，美光将是新厂标准型DRAM封装主要客户。

观察毛利率走势，洪嘉(金俞)指出，投资标准型DRAM封装业务，不会压低力成整体毛利率表现。

展望内存封测布局，洪嘉(金俞)指出，除了在西安布局标准型DRAM封装厂，力成也同步布局利基型DRAM和移动内存(Mobile DRAM)领域，12月对新客户已开始小量生产，预期明年利基型DRAM和移动内存(Mobile DRAM)封测出货可稳健成长。

法人表示，目前美光占力成整体业绩比重，不到20%，预估力成西安DRAM内存封装厂量产后，力成占美光整体DRAM内存封装量比重，可超过50%。

力成明年Q1 估较今年Q4略佳

洪嘉(金俞)表示，明年力成内存、逻辑芯片和闪存(flash)三大产品线业绩比重，持续三足鼎立，各维持1/3比重。力成持续布局利基型DRAM和移动内存(Mobile DRAM)封测领域。

展望标准型内存发展，洪嘉(金俞)认为，需观察明年和后年英特尔(Intel)布局动向。

在高阶逻辑芯片封装，洪嘉(金俞)表示，力成持续布局高阶系统单芯片(SoC)的系统级封装(SiP)领域，逻辑芯片封装布局进度持续稳健。

展望今年第4季稼动率，洪嘉(金俞)预期，力成封装和测试产品稼动率，大约在7成区间。

展望明年第1季，洪嘉(金俞)预期，力成明年第1季表现可比今年第4季略佳。明年第1季标准型内存封测表现可，较今年第4季略佳。力成先前预期，明年整体业绩表现，以创下历年新高为目标。