美光DRAM价格见底 南科跟着喊涨
Helan 2012-02-14 09:03美光新任总裁亚当斯（Mark Adams）看好DRAM价格已经见底，为南科（2408）、华亚科营运开启曙光，南科更看好价格反弹可期，近期有意调涨合约报价约一成以内，有望终止合约价超过八个月「只跌不涨」走势，改善营运状况。
南亚科指出，目前涨幅还在与PC OEM大厂谈判中，预计合约价顺利起涨后，有机会点燃DRAM现货价第2波涨势，形成现货、合约轮动带领DRAM报价走向健康循环的趋势。法人认为，若南科这次涨价成功，不仅有助公司营运状况改善，南科子公司华亚科基本面也可望同步回稳，为低迷多时的市场注入强心针，进而带动现货价回温。
南科、华亚科昨（13）日股价联袂大涨，南科攻上涨停板，上涨0.23元、收3.58元；华亚科涨0.18元、收6.21元。
南科指出，泰国水患造成全球硬盘供应吃紧的状况已逐步恢复正常，近期个人计算机（PC）OEM厂拉货转趋积极，考虑先前DRAM报价已「低到不能再低」，南科已陆续通知客户调涨合约价，幅度约一成以内。
目前三星电子(Samsung Electronics) 2011年已大幅转进30纳米制程技术，2012年更将率先导入28纳米制程，目标是年底28纳米产出可超过50%；南科与华亚科转型之余，也持续导入先进制程，南科30奈米制程今年量产，以生产4Gb DDR3芯片为主，应用于服务器、个人计算机与高阶消费性产品；华亚科30奈米4Gb DDR3第一季开始量产，今年中将有超过30%的投片产能转进30奈米技术，寄望拉近与三星之间的技术距离。
除了标准型DRAM外，存储器厂也积极抢进行动式存储器(Mobile RAM)及服务器用存储器，以行动式存储器领域来看，三星仍是位居全球龙头，市占率高达53%，海力士以市占率20%紧追在后，三星自家品牌的Galaxy S2和Galaxy Note热卖，也带动行动存储器需求大增。
虽然台厂也积极抢进行动式存储器，但三星和海力士的优势是因为有NAND Flash芯片搭配，可以攻占MCP(Multi Chip Package)领域，增加行动装置市场的市占率，这部分力晶因为掌握NAND Flash芯片加上Mobile RAM量产，也开始进军MCP市场。
南科技术合作伙伴美光同样看好DRAM价格将触底反弹。外电报导，美光新总裁亚当斯指出，DRAM价格可能已跌到最低点，他不认为未来报价还会继续下跌，美光已开始感到市场趋于稳定。
