随着大数据、物联网、人工智能等应用的快速发展，海量数据存储需求与日俱增，同时对大容量、高性能存储需求迫切。在Flash原厂技术发展的推动下，继TLC之后，QLC新架构即将进入大家的视野，而且将逐渐取代TLC成为市场主流，如当初TLC取代MLC一样。

去年，东芝与西部数据宣布推出64层QLC NAND，最大容量768Gb，2018年5月美光与英特尔宣布64层 3D QLC NAND开始生产和出货，单Die容量达到1Tb。由于QLC架构是4bits/cell，相比64层3D TLC单颗Die容量512Gb，64层3D QLC容量增加了一倍，也正因为QLC高容量存储优势，将优先满足SSD产品应用需求。

为了满足市场客户对大容量的需求，以及抢占市场先机。在本周举办的台北电脑展上，控制芯片厂纷纷推出新品，且支持新一代QLC 3D NAND。其中Marvell推出了两款最新NVMe SSD控制芯片88SS1084和88SS1100，集成Marvell 第四代NANDEdge技术，具备先进的纠错功能，满足未来96层三阶单元（TLC）和四阶单元（QLC）NAND体系架构日益增长的需求。

慧荣SM2262EN、SM2263EN、SM2263XT等SSD控制芯片采用独有的韧体技术，包括端到端资料路径保护、SRAM ECC，结合LDPC和RAID的最新第五代NANDXtend ECC技术，支持最新3D TLC和QLC NAND，满足存储设备所需的高效稳定的需求。

群联推出的PS5012-E12控制芯片也支持QLC，配置了专为最新的3D TLC闪存技术的高整合、低功耗的第三代LDPC除错引擎 (LDPC 3.0 ECC Engine)，支持下一代闪存技术3D QLC，是群联目前最新的ECC技术。

在控制芯片的支持下，预计QLC很快将进入SSD市场，美光采用QLC NAND技术的SSD(5210 ION)已对战略合作伙伴的客户出货，预计今年秋季将会扩大供货，相信三星、东芝、西部数据以及SK海力士等新一代SSD也会陆续问世。